聯(lián)系人：張總
手機：13805826207
手機：15306745590
傳真：0574-23709358
網(wǎng)址：www.cbshen.com.cn
郵件：839747382@qq.com
地址：浙江省慈溪市長河鎮(zhèn)寧豐北路工業(yè)園區(qū)二橫路266-6
傳統(tǒng)的真空蒸發(fā)鍍膜法具有較高的沉積速度,轉(zhuǎn)換成的薄膜純度高,但薄膜與板材結(jié)合抗拉強度差,加。離子注入法與板材結(jié)合牢固,表層不容易有粘附開裂或掉下來。卻不知道,離子注入的引入層過薄,模擬屏數(shù)字屏僅數(shù)百納米材料,在抗磨損工作中情況下應用遭到一定限制。
為了更好地能夠更好地解決真空蒸發(fā)鍍膜法融合能力差以及離子注入法引入層淺的難點,把薄膜蒸發(fā)沉積與離子注入技術(shù)性結(jié)合起來,真空蒸發(fā)離子束輔助沉積技術(shù)性。直流屏模擬屏煤礦模擬屏該技術(shù)性在應用揮起源(電子束)將元素沉積在單晶硅片上的此外,用離子轟擊鍍層,以獲得比離子注入層更厚、比蒸發(fā)鍍膜法粘結(jié)力更高一些的使用性能非凡密度高的膜層。
